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J-GLOBAL ID：200903059710275840

露光マスク及び露光方法

Inventor： 上澤 史且 ,  根岸 三千雄 ,  清水 秀夫
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993034877
Publication number (International publication number)：1994123963
Application date： Jan. 30, 1993
Publication date： May. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 中央パターンの周部に配置される周部パターン(サブシフター)間の干渉による悪影響を抑制した露光マスク及び露光方法を提供する。【構成】 中央パターンC11,C12と、該中央パターンの周部に位置するサブシフターパターン等の周部パターンS11〜S14,S11′〜S14′を備えたパターン群が隣り合って配置されて成る露光マスクであって、隣り合う周部パターン(S11′とS11)相互の干渉を、互いに角度をもたせることや、位相差を与えることや、周部パターンをひとつにして光透過量を下げること等によって、低減する構成とした露光マスク、及びこれを用いた露光方法。

Claim (excerpt)：

中央パターンと、該中央パターンの周部に位置する周部パターンを備えたパターン群が隣り合って配置されて成る露光マスクであって、隣り合う周部パターン相互の干渉を低減する構成としたことを特徴とする露光マスク。

IPC (3)：

G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/027

FI (2)：

H01L 21/30 301 P ,  H01L 21/30 311 W