シリコン酸化膜と透明導電膜の連続形成方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：北村欣一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992041738
Publication number (International publication number)：1993241174
Application date： Feb. 27, 1992
Publication date： Sep. 21, 1993
Summary：

【要約】【目的】基板上に形成されたシリコン酸化膜上に連続して形成される透明導電膜の抵抗率を低くする。【構成】基板上に形成され、透明導電膜と接するシリコン酸化膜の形成を、石英ターゲットを用い、O2、H2O、O2とH2のうちいずれか1つを含むガス雰囲気中でスパッタ法により行うか、或いはシリコンターゲットを用い、O2とH2O或いはO2とH2を含むガス雰囲気中でスパッタ法により行う。

Claim (excerpt)：

スパッタ法で基板上にシリコン酸化膜を形成し、該シリコン酸化膜上にIn-O系或いはIn-Sn-O系透明導電膜を連続的に形成する方法において、シリコン酸化膜をO2、H2O、O2とH2のうちいずれか1つを含むガス雰囲気中で石英ターゲットのスパッタ法により形成することを特徴とするシリコン酸化膜と透明導電膜の連続形成方法。

IPC (5)：

G02F 1/1343 , C23C 14/08 , G02F 1/136 500 , H01B 5/14 , H01B 13/00 503

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平1-130409
特開平1-301851
特開平3-064450

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Cited by examiner (6)

特開平1-130409
特開昭64-013120
特開平1-301851

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