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J-GLOBAL ID：200903059722790499

細孔を有する構造体及びその製造方法

Inventor：
田 透

About 田 透

, 
安居 伸浩

About 安居 伸浩

, 
福谷 和彦

About 福谷 和彦


Applicant, Patent owner：
キヤノン株式会社

About キヤノン株式会社


Agent (1)： 渡辺 徳廣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003063540
Publication number (International publication number)：2003342791
Application date： Mar. 10, 2003
Publication date： Dec. 03, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ナノホール底部が下地層まで貫通し、かつ陽極酸化アルミナナノホール層と下地金属層との密着性に優れたナノ構造体及びその製造方法を提供する。【解決手段】 基板11上に陽極酸化法により形成される陽極酸化アルミナナノホール層15を具備するナノ構造体において、前記陽極酸化アルミナナノホール層15の下部に微細孔16を有する接合層13を介して下地層12が設けられ、且つ前記陽極酸化アルミナナノホール層15が前記微細孔を介して前記下地層12まで貫通しており、且つ前記微細孔を有する接合層がSiを主成分として含有するナノ構造体。
Claim (excerpt)：
孔を有する構造体であって、基板、アルミナホールを有する第1の層、及び該基板と該第1の層の間に位置する第2の層を備え、該第2の層は、シリコンを含み構成され、且つ前記アルミナホールよりも孔径の小さい孔を有することを特徴とする構造体。
IPC (6)：
C25D 11/04 305 ,  B81C 1/00 ,  C25D 11/20 302 ,  C25D 11/24 302 ,  G11B 5/73 ,  G11B 5/855
FI (6)：
C25D 11/04 305 ,  B81C 1/00 ,  C25D 11/20 302 ,  C25D 11/24 302 ,  G11B 5/73 ,  G11B 5/855
F-Term (11)：
5D006CB04 ,  5D006CB07 ,  5D006CB08 ,  5D006DA08 ,  5D006FA07 ,  5D112AA02 ,  5D112AA18 ,  5D112BA02 ,  5D112BA06 ,  5D112BA09 ,  5D112EE02
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)

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