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J-GLOBAL ID：200903059737977439
光励起気相成長装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992006811
Publication number (International publication number)：1993190465
Application date： Jan. 17, 1992
Publication date： Jul. 30, 1993
Summary：
【要約】【目的】 超格子のように原子層オーダーの制御性を要する成長と、例えば発光ダイオート作製に必要な10μmオーダーの厚膜成長の両方を可能にする光励起気相成長装置を実現する。【構成】 従来の光励起ALE装置と略同様の構造をとり、フローチャネル5の構造を変える。すなわち、ガス流を層流化するためのフローチャネル5の内壁にもパージ用ガスとしてのH2ガスを噴射する噴射口26を形成する。これにより、汚れやすいフローチャネル5の上部内壁25は反応性の高いH2ガスの流れが支配するため、分解した原料ガスによる汚染はほとんどない。また、フローチャネル5により層流が作られるため、ガスのきれもよく、非常に均一な成長層が作製される。また、GaAsを1原子層だけ成長するような場合は、原料ガスの供給方法はガス供給口4′よりAsH3を2秒流して1秒待機し、ガス供給口4よりTMGを2秒流してまた1秒待機するといったやり方をとる。この時、TMGの供給にあわせてレーザ光が照射される。
Claim (excerpt)：
反応室内に導入された原料ガスの励起・分解および該反応室内に配置された基板表面の活性化を光によって行い、該原料ガスの流れを層流状態にするためのフローチャネルを備えた光励起気相成長装置において、該フローチャネルの該光が導入される部分の少なくとも内壁に、反応性の高いパージ用ガスを噴射できる噴射口を設けた光励起気相成長装置。
IPC (3)：
H01L 21/205
, C30B 25/14
, H01L 21/31
