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J-GLOBAL ID：200903059738454782

炭化珪素単結晶の製造方法

Inventor： 古川 勝紀 ,  辰巳 正毅
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993104355
Publication number (International publication number)：1994316499
Application date： Apr. 30, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 昇華再結晶法を用いた炭化珪素単結晶成長において、高純度の珪素と炭素を原料として用いることにより結晶性に優れた炭化珪素単結晶を成長する。【構成】 種結晶を用いた昇華再結晶法により炭化珪素単結晶を成長する際に、原料として珪素2aおよび炭素粉末2bまたは多孔質黒鉛2cを用い、珪素2aおよび炭素粉末2bまたは多孔質黒鉛2cを反応させて炭化珪素2を形成し、この炭化珪素を昇華させて種結晶1上に炭化珪素単結晶を成長させる。【効果】 原料よりの不純物を防止し、炭化珪素単結晶の結晶性および均質性、および再現性が向上する。

Claim (excerpt)：

珪素と炭素を反応させて炭化珪素を形成する工程と、上記炭化珪素を昇華して種結晶上に炭化珪素単結晶を形成する工程とを含むことを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00 ,  H01L 21/203