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J-GLOBAL ID：200903059748784179

半導体装置とその製造方法

Inventor： 田代 和昭
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991221178
Publication number (International publication number)：1993048130
Application date： Aug. 07, 1991
Publication date： Feb. 26, 1993
Summary：

【要約】【目的】 p型層の光学的バンドギャップが狭くなく、ヘテロ接合界面での格子のミスフィットによる光感度の減少がなく、欠陥がない良質な膜を有するpin型の太陽電池や、フォトダイオード等の半導体装置及びその製造方法を実現することにある。【構成】 pin型構造を具備する非単結晶シリコン半導体装置において、該p型層、及び/又は該i型層、及び/又は該n型層がテーパー状の膜中水素濃度プロファイルと、テーパー状のバンドプロファイルを有し、該p型層、i型層、n型層の各層の界面でバンドの結合が連続であることを特徴とする半導体装置及びその製造方法。

Claim (excerpt)：

pin型構造を具備する非単結晶シリコン半導体装置において、該p型層、及び/又は該i型層、及び/又は該n型層がテーパー状の膜中水素濃度プロファイルと、テーパー状のバンドプロファイルを有し、該p型層、i型層、n型層の各層の界面でバンドの結合が連続であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/10

FI (2)：

H01L 31/04 B ,  H01L 31/10 A