半導体基板とその作製方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：西山恵三 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001000633
Publication number (International publication number)：2001257139
Application date： Jan. 05, 2001
Publication date： Sep. 21, 2001
Summary：

【要約】【課題】付着パーティクルが少なく、又マーキングが容易な半導体基板及びその作製方法を提供する。【解決手段】支持基板1の上方に絶縁層2を介して設けられた半導体層3を有する半導体基板において、半導体層3の表面領域以外の領域に、マーク4を形成する。具体的には、第1の基板を用意し、第2の基板の周辺部にマークを形成し、マークのある部分では貼り合わないように、第1及び第2の基板を貼り合わせ、第1の基板の不要部を除去することで、第1の基板の移設層を移設してSOI基板を作る。

Claim (excerpt)：

支持基板の上方に絶縁層を介して設けられた半導体層を有する半導体基板において、前記半導体層の表面領域以外の領域に、マークが形成されていることを特徴とする半導体基板。

IPC (2)：

H01L 21/02 , H01L 27/12

FI (3)：

H01L 21/02 A , H01L 21/02 B , H01L 27/12 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

SOI基板およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-176646 Applicant：日本電気株式会社
基板の貼り合わせ方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-264912 Applicant：ソニー株式会社
レーザマークを付けたウェーハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-055994 Applicant：株式会社スーパーシリコン研究所

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