Pat
J-GLOBAL ID：200903059756648721

セラミック焼結体およびそれを用いた配線基板

Inventor：
川井 信也

About 川井 信也


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000396297
Publication number (International publication number)：2002053369
Application date： Dec. 26, 2000
Publication date： Feb. 19, 2002
Summary：
【要約】【課題】銀、銅、金等の低抵抗金属、なかでも銀と同時焼成が可能であり、高熱伝導率、低誘電率を有し、且つ高強度を有するセラミック焼結体を得る。【解決手段】絶縁基板1と、その表面および/または内部に配設された配線回路層2を具備してなる配線基板において、絶縁基板を少なくともガラス相と、ガーナイト(ZnAl2O4)および/またはスピネル(MgAl2O4)などのスピネル系化合物結晶相と、AlN、Si3N4、SiCおよびBNの群から選ばれる少なくとも1種の非酸化物系化合物結晶相(N)を含有し、相対密度が95%以上、誘電率が8以下、熱伝導率が2W/m・K以上のセラミック焼結体によって形成する。
Claim (excerpt)：
スピネル系化合物結晶相と、AlN、Si3N4、SiCおよびBNの群から選ばれる少なくとも1種の非酸化物系化合物結晶相を含有し、相対密度が95%以上、誘電率が8以下、熱伝導率が2W/m・K以上であることを特徴とするセラミック焼結体。
IPC (4)：
C04B 35/195 ,  H01B 3/02 ,  H05K 1/03 610 ,  H05K 3/46
FI (4)：
H01B 3/02 A ,  H05K 1/03 610 E ,  H05K 3/46 T ,  C04B 35/16 A
F-Term (47)：
4G030AA07 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA32 ,  4G030AA36 ,  4G030AA37 ,  4G030AA47 ,  4G030AA50 ,  4G030AA51 ,  4G030AA52 ,  4G030AA67 ,  4G030BA12 ,  4G030CA01 ,  4G030GA09 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346BB01 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346EE24 ,  5E346EE29 ,  5E346GG03 ,  5E346GG09 ,  5E346HH06 ,  5E346HH17 ,  5G303AA05 ,  5G303AB06 ,  5G303AB12 ,  5G303AB15 ,  5G303AB20 ,  5G303BA09 ,  5G303BA12 ,  5G303CA03 ,  5G303CB01 ,  5G303CB02 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB17 ,  5G303CB19 ,  5G303CB30 ,  5G303CB32 ,  5G303CB38 ,  5G303CB43
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM