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J-GLOBAL ID：200903059759050096

エポキシ樹脂組成物及び樹脂封止型半導体装置

Inventor： 高見 博道
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995340641
Publication number (International publication number)：1997176286
Application date： Dec. 27, 1995
Publication date： Jul. 08, 1997
Summary：

【要約】【課題】 耐リフロークラック性及び耐湿性に優れたエポキシ樹脂組成物及びこの樹脂組成物で樹脂封止された樹脂封止型半導体装置を提供する。【解決手段】 (a)エポキシ樹脂と、(b)フェノール樹脂と、(c)無機質充填剤とを必須成分として含有し、前記(a)成分の一部または全部が、所定のジフェニルエーテル骨格を有するエポキシ樹脂であり、前記(b)成分の一部または全部が、所定のフェノールアラルキル樹脂であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

(a)エポキシ樹脂と、(b)フェノール樹脂と、(c)無機質充填剤とを必須成分として含有し、前記(a)成分の一部または全部が、下記一般式(1)で表されるジフェニルエーテル骨格を有するエポキシ樹脂であり、前記(b)成分の一部または全部が、下記一般式(2)又は(3)で表されるフェノールアラルキル樹脂であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物。【化1】(式中、Rは、水素原子またはメチル基、R1 〜R8 はそれぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、アリール基、及びハロゲン原子からなる群から選ばれる基を示し、nは、0〜5の整数を示す。)【化2】【化3】(式中、Aは下記式に示す2価の有機基、R9 及びR10は、それぞれ独立に水素原子、メチル基、エチル基、又はシクロヘキシル基、mは0〜3の整数、lは1〜5の整数、nは0〜50の整数を示す。)【化4】

IPC (6)：

C08G 59/40 NJR ,  C08G 59/20 NHQ ,  C08L 63/02 NKT ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08G 61/02 NLF

FI (5)：

C08G 59/40 NJR ,  C08G 59/20 NHQ ,  C08L 63/02 NKT ,  C08G 61/02 NLF ,  H01L 23/30 R