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J-GLOBAL ID：200903059759339509

湿式サンドブラスト法および湿式サンドブラスト機

Inventor： 山本 浩
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社 ,  長野電子工業株式会社
Agent (1)： 荒船 良男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998087772
Publication number (International publication number)：1999283941
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】【課題】 設備が簡単でウェーハ裏面への均質な機械的ダメージを保障することができる湿式サンドブラスト法および湿式サンドブラスト機を提供する。【解決手段】 ウェーハの裏面に機械的ダメージを与えるための砥粒を含むスラリーを循環させて使用するにあたり、サンドブラスト作業継続中のスラリーの砥粒濃度の低下を抑止するように、初期の砥粒濃度よりも高い砥粒濃度のスラリーをスラリー循環系に連続的に補給することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

ウェーハの裏面に機械的ダメージを与えるための砥粒を含むスラリーを循環させて使用するにあたり、サンドブラスト作業継続中のスラリーの砥粒濃度の低下を抑止するように、初期の砥粒濃度よりも高い砥粒濃度のスラリーをスラリー循環系に連続的に補給することを特徴とする湿式サンドブラスト法。

IPC (3)：

H01L 21/304 601 ,  B24C 1/00 ,  B24C 9/00

FI (3)：

H01L 21/304 601 S ,  B24C 1/00 Z ,  B24C 9/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-123429
  
• 特開昭61-014862
  
• 特開昭57-096774