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J-GLOBAL ID：200903059760970158
LIGAプロセス用マスクの作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998161644
Publication number (International publication number)：1999354412
Application date： Jun. 10, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：
【要約】【課題】 レジスト材料から成る層の部分的はく離によるマスクパターン不良の問題を解決し、且つ半導体装置製造プロセスを利用して量産可能なLIGA用マスクの作製方法を提供する。【解決手段】 めっきシード層6とレジスト材料から成る層8との間に、めっきが付着し難い物質から成る層7を介在させて、当該レジスト材料から成る層のパターニング処理等を行う。
Claim (excerpt)：
基板上にめっきシード層を形成する工程、当該めっきシード層上に、めっきが付着し難い物質から成る層を形成する工程、当該めっきが付着し難い物質から成る層上に、レジスト材料から成る層を形成する工程、当該レジスト材料から成る層及び当該めっきが付着し難い物質から成る層をパターニング処理して、めっき用中空パターンを形成する工程、当該めっき用中空パターン内にめっきを施して、当該めっきシード層上にめっき層を形成する工程、当該レジスト材料から成る層、当該めっきが付着し難い物質から成る層、及び当該めっきシード層のめっきが施されていない部分を除去する工程を含む事を特徴とするLIGAプロセス用マスクの作製方法。
IPC (3)：
H01L 21/027
, G03F 1/16
, H01L 21/288
H01L 21/30 531 M
, G03F 1/16 A
, H01L 21/288 Z
