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J-GLOBAL ID：200903059774539662

リフロー半田付け方法

Inventor： 古澤 彰男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 森本 義弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994317413
Publication number (International publication number)：1996174206
Application date： Dec. 21, 1994
Publication date： Jul. 09, 1996
Summary：

【要約】【目的】 フラックス残渣がなく高信頼性を得ることのできるリフロー半田付け方法を提供する。【構成】 基板1上の銅電極2の表面に形成された酸化膜3に超音波発振器4を接触させ、超音波発振器4の振動のエネルギーにより発生する応力で銅電極2表面の酸化銅を物理的に除去して銅電極2表面を清浄化する。【効果】 この方法で活性剤を含まないペースト状半田を用いて半田濡れ性の良いリフロー半田付けを行うことができる。またフラックス残渣量はほぼゼロとなり、電気的信頼性は著しく向上し、リフロー後の洗浄工程を省略することができる。

Claim (excerpt)：

超音波振動の振動エネルギーにより発生する応力により導体表面の酸化物を除去して半田付けすることを特徴とするリフロー半田付け方法。

IPC (4)：

B23K 1/06 ,  B23K 31/02 310 ,  H05K 3/34 501 ,  H05K 3/34 507