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J-GLOBAL ID：200903059786973708

プラズマ処理装置

Inventor： 木之下 儀美 ,  吉田 和夫 ,  北野 勝久 ,  川元 暁 ,  羽山 昌宏 ,  小倉 正久
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社 ,  旭硝子株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994294498
Publication number (International publication number)：1996153679
Application date： Nov. 29, 1994
Publication date： Jun. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 均一な薄膜形成が可能なプラズマ処理装置を得る。【構成】 外部から供給される反応ガスの供給口5から、被処理体12に反応ガスを吹き出す小孔15までの間を複数の拡散板7a、7bによって仕切り、供給口5から小孔15まで、順次ガスの流れ抵抗が小さくなるように設定する。

Claim (excerpt)：

対向配置した一対の角型電極の一方に被処理体を設置するとともに被処理体を加熱する機構を有し、前期電極間にガスを導入して放電させて前期被処理体をプラズマ処理する装置において、被処理体を設置しない側のガスを導入する電極内に、ガスを電極内に導入するガス供給管と、ガスを均一に拡散させるための複数の拡散板と、電極表面となる電極板とを設け、ガス供給管に開けられた孔の全流れ抵抗と拡散板に開けられた複数の孔の拡散板一枚分の流れ抵抗と電極表面に開けた複数の孔の全流れ抵抗が、ガス供給管の側から順に小さくなるように、各々に開けられた孔の大きさおよび数を設定したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (2)：

H01L 21/203 ,  C23C 16/50