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J-GLOBAL ID：200903059787727514

化合物半導体装置およびその製造方法

Inventor：
岸本 克彦

About 岸本 克彦


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996310465
Publication number (International publication number)：1998154714
Application date： Nov. 21, 1996
Publication date： Jun. 09, 1998
Summary：
【要約】【課題】 n型のInGaAs層とこれに接するPt(Pd)の金属層との安定性のよい良好なオーミック接触を実現する。【解決手段】 電極のPt(Pd)層11の厚さをBとし、これに接する厚さAのn型のInx Ga1-x As層3のInとGaとの混晶比を0.4以上とし、両者の厚さの関係をA>2Bとする。Inx Ga1-x As層3の上方にはPtの拡散層が形成されるが、その下方にはInx Ga1-x As層3が残っている。
Claim (excerpt)：
化合物半導体が積層されており、その表面には、n型のInx Ga1-x As(0.4≦x≦1.0)の層と、その上のPtまたはPdまたはそれらの合金のうちの1つを含むn型のInx Ga1-x As(0.4≦x≦1.0)の層と、さらにその表面のPtまたはPdまたはそれらの合金のうちの1つの層とが順に積層された構造を有することを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/80
FI (3)：
H01L 29/72 ,  H01L 29/46 H ,  H01L 29/80
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
  • 半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-075587   Applicant：シャープ株式会社
  • 化合物半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-050741   Applicant：株式会社東芝
  • 自己整合InP系HBT
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-044540   Applicant：住友電気工業株式会社
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