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J-GLOBAL ID：200903059800588332

化合物半導体単結晶の熱処理方法およびその装置

Inventor： 岡田 広 ,  川中 岳穂 ,  上原 一浩 ,  坂下 由彦
Applicant, Patent owner： 株式会社神戸製鋼所
Agent (1)： 小谷 悦司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998121176
Publication number (International publication number)：1999310499
Application date： Apr. 30, 1998
Publication date： Nov. 09, 1999
Summary：

【要約】【課題】 従来の熱処理方法の様に、石英アンプルを用いた封管法を採用したり、AsH3 ガスやPH3 ガス等の猛毒ガスを流通させなくても、化合物半導体単結晶の熱処理を行うことができ、しかも高圧雰囲気下での熱処理も容易に行うことのできる熱処理方法およびその装置を提供する。【解決手段】 化合物半導体からなる単結晶をガス不透過性耐熱容器内に収納し、上記単結晶の構成元素のうち蒸気圧の高い元素のガス雰囲気下で、上記単結晶の熱処理を行う方法において、シール部を介して開閉自在に二分割された耐熱容器を用い、上記シール部より下側の上記耐熱容器内で単結晶の加熱を行うと共に、上記単結晶の加熱位置よりも高く上記シール部より低い位置で冷却を施すことにより、高蒸気圧元素ガスを凝縮し液化させるか、或いは上記耐熱容器の内壁面に高蒸気圧元素ガスを凝固させた後、これを剥離して下方へ戻す方法を採用すればよい。

Claim (excerpt)：

化合物半導体からなる単結晶をガス不透過性耐熱容器内に収納し、上記単結晶の構成元素のうち蒸気圧の高い元素のガス雰囲気下で、上記単結晶の熱処理を行う方法であって、シール部を介して開閉自在に二分割された耐熱容器を用い、上記シール部より下側の上記耐熱容器内で単結晶の加熱を行うと共に、上記単結晶の加熱位置よりも高く上記シール部より低い位置で冷却を施すことにより、高蒸気圧元素ガスを凝縮し液化させて下方へ戻すことを特徴とする化合物半導体単結晶の熱処理方法。

IPC (3)：

C30B 29/40 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/477

FI (3)：

C30B 29/40 C ,  H01L 21/324 C ,  H01L 21/477