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J-GLOBAL ID：200903059803864730

レジスト塗布方法

Inventor：
坪井 伸二

About 坪井 伸二


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 畑 泰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998317473
Publication number (International publication number)：2000150339
Application date： Nov. 09, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 吸湿性がある窒素原子を含む下地膜上においても0.2μm幅以下の微細パターン形成に適したレジスト塗布方法を提供する。【解決手段】 少なくとも窒素原子を含む下地膜を露光後ベーク温度よりも高温でベークする第1の工程と、前記ベークした下地膜上にヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布する第2の工程と、前記ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布した下地膜を露光後ベーク温度よりも高温で再びベークする第3の工程と、化学増幅型レジストを塗布する第4の工程とを含むことを特徴とする。
Claim (excerpt)：
少なくとも窒素原子を含む下地膜を露光後ベーク温度よりも高温でベークする第1の工程と、前記ベークした下地膜上にヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布する第2の工程と、前記ヘキサメチルジシラザン(HMDS)を塗布した下地膜を露光後ベーク温度よりも高温で再びベークする第3の工程と、化学増幅型レジストを塗布する第4の工程とを含むことを特徴とするレジスト塗布方法。
IPC (5)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/09 501 ,  G03F 7/16
FI (6)：
H01L 21/30 563 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/039 601 ,  G03F 7/09 501 ,  G03F 7/16 ,  H01L 21/30 564 D
F-Term (19)：
2H025AA00 ,  2H025AB16 ,  2H025AC06 ,  2H025AD01 ,  2H025AD03 ,  2H025DA18 ,  2H025EA01 ,  2H025EA04 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  5F046AA28 ,  5F046HA01 ,  5F046JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046KA04 ,  5F046KA10 ,  5F046LA12 ,  5F046LA18
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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