液晶表示装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木晴敏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992265503
Publication number (International publication number)：1994088972
Application date： Sep. 08, 1992
Publication date： Mar. 29, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】同一基板上に表示画素部及び周辺回路部が一体的に形成されたアクティブマトリクス型液晶表示装置において、薄膜トランジスタのLDD構造を最適化する。【構成】絶縁基板1の主面上には複数個の画素TFT4を含む表示画素部3と、この表示画素部3の周辺に配置され且つ複数個の周辺TFT5から構成された周辺回路部2が形成されている。画素TFT4及び周辺TFT5は、ともにソース領域S及びドレイン領域Dとチャネル領域との間の少なくとも一方に同一導電型のLDD領域を備えた多結晶シリコン薄膜6から構成されている。周辺TFT5のLDD領域長さ寸法又はLDD不純物濃度はトランジスタオン電流の増大を優先して設定され、画素TFT4のLDD領域長さ寸法又はLDD不純物濃度はトランジスタオフ電流の抑制を優先して設定されている。

Claim (excerpt)：

一主面上に形成された複数個の第1の薄膜トランジスタを含む表示画素部と、この表示画素部の周辺に配置され且つ複数個の第2の薄膜トランジスタから構成された周辺回路部を有する一方の基板と、対向電極を有し前記一方の基板に対向配置された他方の基板と、両方の基板間に保持された液晶層とを備えた液晶表示装置において、前記第1及び第2の薄膜トランジスタが、ソース不純物領域及びドレイン不純物領域とチャネル領域との間の少なくとも一方に前記不純物領域と同一導電型の低濃度不純物領域を備えた非単結晶半導体層を有するとともに、第1及び第2の薄膜トランジスタの低濃度不純物領域の長さ寸法及び不純物濃度の少なくとも一方が互いに異なる事を特徴とする液晶表示装置。

IPC (2)：

G02F 1/136 500 , H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/78 311 A , H01L 29/78 311 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

特開平4-115231
マトリクス回路駆動装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-334597 Applicant：カシオ計算機株式会社

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