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J-GLOBAL ID：200903059823045832

バイポーラ型半導体装置の順方向電圧回復方法、積層欠陥縮小方法およびバイポーラ型半導体装置

Inventor： 三柳 俊之 ,  土田 秀一 ,  鎌田 功穂 ,  菅原 良孝 ,  中山 浩二 ,  石井 竜介
Applicant, Patent owner： 関西電力株式会社 ,  財団法人電力中央研究所
Agent (4)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  鈴木 亨 ,  八本 佳子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005117176
Publication number (International publication number)：2006295061
Application date： Apr. 14, 2005
Publication date： Oct. 26, 2006
Summary：

【課題】炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置において、電流通電により拡大した積層欠陥面積を縮小し、増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置の順方向電圧を回復させる方法を提供する。【解決手段】電流通電により積層欠陥面積が拡大し、順方向電圧が増加した炭化珪素バイポーラ型半導体装置を350°C以上の温度で加熱し、積層欠陥回復させる。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

炭化珪素単結晶基板の表面から成長させた炭化珪素エピタキシャル膜の内部で電流通電時に電子と正孔が再結合するバイポーラ型半導体装置の順方向電圧回復方法であって、 電流通電により順方向電圧が増加した前記バイポーラ型半導体装置を350°C以上の温度で加熱することを特徴とするバイポーラ型半導体装置の順方向電圧回復方法。

IPC (7)：

H01L 21/324 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/744

FI (6)：

H01L21/324 X ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/91 F ,  H01L29/72 ,  H01L29/74 C ,  H01L29/78 301J

F-Term (13)：

5F003AZ01 ,  5F003BJ11 ,  5F003BM01 ,  5F003BP31 ,  5F003BP41 ,  5F005AF02 ,  5F005AH02 ,  5F005CA01 ,  5F140AC24 ,  5F140AC40 ,  5F140BA02 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 国際公開WO03/038876号パンフレット