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J-GLOBAL ID：200903059825188290

金配線を有する半導体装置およびその製造方法

Inventor： 田中 啓貴 ,  矢倉 基次
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999231430
Publication number (International publication number)：2001057369
Application date： Aug. 18, 1999
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 微細形状の配線への適用が容易で、かつ金膜の断線を防止できる金配線を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 金膜4の上にパターニングされたシリコン酸化膜5を設け、そのシリコン酸化膜5をマスクとしてドライエッチングにより金膜4のパターニングを行なうことで、シリコン酸化膜5と同一パターンの金膜4が形成される。

Claim (excerpt)：

パターニングされた金膜と、前記金膜の上部に前記金膜と同一パターンに形成された第1のシリコン酸化膜とを備えた、金配線を有する半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/3213 ,  H01L 21/3205

FI (2)：

H01L 21/88 D ,  H01L 21/88 M

F-Term (28)：

5F033GG01 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033MM05 ,  5F033MM08 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ93 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033WW02 ,  5F033XX03 ,  5F033XX14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-030428
  
• 特開平3-237745
  
• 特開昭63-272050