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J-GLOBAL ID：200903059829980045

インジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲットおよびその製造方法

Inventor： 福島 英子 ,  菊池 広実 ,  榊原 正彦
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Agent (1)： 大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994188856
Publication number (International publication number)：1996035062
Application date： Jul. 19, 1994
Publication date： Feb. 06, 1996
Summary：

【要約】【目的】 熱処理工程を特に要せずにSnO2相、および(In0.6Sn0.4)2O3相等の中間化合物相の存在を低減したITOターゲットおよびその製造方法の提供する。【構成】 実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体であり、スズ量が2wt%未満で単相構造を有し、比抵抗値が6×10-3Ω・cm以下であるインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲット。

Claim (excerpt)：

実質的にインジウム、スズおよび酸素からなる焼結体であり、スズ量が2wt%未満で単相構造を有し、比抵抗値が6×10-3Ω・cm以下であることを特徴とするインジウム・スズ酸化物膜用スパッタリング用ターゲット。

IPC (2)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/495