Pat
J-GLOBAL ID：200903059841101332

窒化物半導体成長基板

Inventor：
前川 仁志

About 前川 仁志

, 
落合 真尚

About 落合 真尚


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001359857
Publication number (International publication number)：2002231647
Application date： Nov. 26, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：
【要約】【課題】窒化物半導体基板において、保護膜とそれ以外の領域との識別を容易にし、窒化物半導体層を成長後の保護膜の認識を容易にし、基板上に形成する発光ダイオード、レーザ素子等の製造工程の正確性及び効率向上に期待できる窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】窒化物半導体と異なる異種基板上に窒化物半導体層を成長させ、その後、特定の波長光のみ透過させるミラー特性を有する保護膜を形成し、その上に窒化物半導体層を形成することにより、後工程において認識性のいい窒化物半導体基板を形成する。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体が成長可能な異種基板上に、下地層となる第1の窒化物半導体層、その上に窓部を有する保護膜が設けられ、前記保護膜は、誘電体多層膜からなるミラー構造を有し、保護膜上に横方向成長させた第2の窒化物半導体層を有することを特徴とする窒化物半導体成長基板。
IPC (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (4)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/38 D ,  H01L 33/00 Z ,  H01S 5/323 610
F-Term (59)：
4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB01 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE06 ,  4G077EF03 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  5F041AA36 ,  5F041AA40 ,  5F041CA34 ,  5F041CA49 ,  5F041CA56 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA67 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AB37 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045AF20 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DC51 ,  5F045DC53 ,  5F045DC62 ,  5F073CA17 ,  5F073CB03 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35 ,  5F073EA06 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM