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J-GLOBAL ID：200903059854460978

半導体装置

Inventor： 北村 富士夫 ,  桑村 誠
Applicant, Patent owner： 日東電工株式会社
Agent (1)： 西藤 征彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993220233
Publication number (International publication number)：1994216281
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：

【要約】【目的】 ばりおよびボイドの発生が抑制され、かつ封止作業に優れたエポキシ樹脂組成物により封止してなる半導体装置を提供する。【構成】 下記の(A)〜(C)成分を含むエポキシ樹脂組成物により封止されてなる半導体装置であって、上記エポキシ樹脂組成物の175°Cでの溶融粘度が80〜300Pa・sの範囲に設定され、かつ上記(C)成分の含有割合が上記エポキシ樹脂組成物全体の75〜85重量%の範囲に設定されている。(A)エポキシ樹脂。(B)ノボラック型硬化剤。(C)全体の粒度分布が下記の(a)〜(c)に設定され、かつ平均粒子径が10μmを超え25μm以下の範囲であるシリカ粉末。(a)粒子径149μm以上のものが3重量%以下。(b)粒子径48μm以下のものが70重量%以上。(c)粒子径6μm以下のものが20〜40重量%。

Claim (excerpt)：

下記の(A)〜(C)成分を含むエポキシ樹脂組成物により封止されてなる半導体装置であって、上記エポキシ樹脂組成物の175°Cでの溶融粘度が80〜300Pa・sの範囲に設定され、かつ上記(C)成分の含有割合が上記エポキシ樹脂組成物全体の75〜85重量%の範囲に設定されていることを特徴とする半導体装置。(A)エポキシ樹脂。(B)ノボラック型硬化剤。(C)全体の粒度分布が下記の(a)〜(c)に設定され、かつ平均粒子径が10μmを超え25μm以下の範囲であるシリカ粉末。(a)粒子径149μm以上のものが3重量%以下。(b)粒子径48μm以下のものが70重量%以上。(c)粒子径6μm以下のものが20〜40重量%。

IPC (4)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08K 3/36 NKX ,  C08L 63/00 NJS

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-074924
  
• 特開昭61-115342
  
• 特開昭61-101520
  
• 特開平2-173153