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J-GLOBAL ID：200903059858128528

レーザダイオード

Inventor： 林 茂生 ,  大川 和宏 ,  三露 常男
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992250912
Publication number (International publication number)：1994104531
Application date： Sep. 21, 1992
Publication date： Apr. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】 格子不整合のあるZnSe層とZnS0.07Se0.93層の間に歪超格子層を入れることにより、構造欠陥の伝搬が抑制され、結晶性が向上し発光効率が高まり、パルス電流注入条件において室温で青緑色でレーザ発振する青色域レーザダイオードを得る。【構成】 n型GaAs単結晶基板1上に、塩素添加n型ZnS0.07Se0.93層2、塩素添加n型ZnSe-ZnS0.07Se0.93歪超格子層3、塩素添加ZnSe層4、Zn0.8 Cd0.2 Se活性層5、窒素添加p型ZnSe層6、窒素添加p型ZnSe-ZnS0.07Se0.93Se歪超格子層7、窒素添加p型ZnS0.07Se0.93層8を有し、その構造の両側にAu電極9とIn電極10を有し、へき開面ミラーによる光共振器を持つレーザダイオードとする。

Claim (excerpt)：

Zn1-X CdX Se(X:0.1〜0.3)活性層の両側にZnSe光導波路層を有し、前記ZnSe層のさらに外側にZnSY Se1-Y (Y:0.06〜0.09)閉じ込め層を有する、GaAs基板上に形成された分離閉じ込め型ダブルヘテロ構造において、前記ZnSe層と前記ZnSY Se1-Y 層との間に同じ伝導型のZnSe-ZnSZ Se1-Z (Z:0.06〜0.20)歪超格子を有することを特徴とするレーザダイオード。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/88