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J-GLOBAL ID：200903059859706088

多結晶シリコン薄膜の平坦化方法

Inventor： 平 山 秀 雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999192145
Publication number (International publication number)：2001023962
Application date： Jul. 06, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】 多結晶シリコン薄膜の表面に形成された突起を容易且つ確実に除去することができる多結晶シリコン薄膜の平坦化方法を提供することを目的とする。【解決手段】 多結晶シリコン薄膜を炭素(C)とフッ素(F)と水素(H)とを少なくとも含有するガスのプラズマに曝すことにより突起を除去して多結晶シリコン薄膜の表面を容易且つ確実に平坦化することができる。

Claim (excerpt)：

多結晶シリコン薄膜を炭素(C)とフッ素(F)と水素(H)とを少なくとも含有するガスのプラズマに曝す工程を備えたことを特徴とする多結晶シリコン薄膜の平坦化方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  G02F 1/1365 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 21/302 F ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 627 A

F-Term (34)：

2H092JA24 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092MA08 ,  2H092MA17 ,  2H092MA25 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA19 ,  2H092NA25 ,  5F004AA11 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA15 ,  5F004DA16 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004EA27 ,  5F110AA06 ,  5F110AA18 ,  5F110AA30 ,  5F110DD02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ19 ,  5F110QQ30