Pat
J-GLOBAL ID:200903059870821743
透明導電性基材の製造方法
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
上田 章三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000187576
Publication number (International publication number):2002008461
Application date: Jun. 22, 2000
Publication date: Jan. 11, 2002
Summary:
【要約】【課題】 5×103 Ω/□以下の導電性、低反射率、高透過率を有する透明導電性基材を簡便、低コストで製造できる透明導電性基材の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板、この基板上に順次形成された透明導電層と透明コート層とで構成された透明2層膜を備える透明導電性基材の製造方法であって、溶媒中に平均粒子径5〜100nmのインジウム錫酸化物微粒子が分散された透明導電層形成用塗液をガラス基板上に塗布し、続けてシリカゾルを主成分とする透明コート層形成用塗布液を塗布した後、大気中、300〜700°Cの高温で焼成し、冷却した後、インジウム錫酸化物微粒子を含有する透明導電層と酸化珪素を主成分とする透明コート層とで構成された上記透明2層膜を還元性溶液に接触させて低抵抗化処理することを特徴とする。
Claim (excerpt):
ガラス基板、および、この基板上に順次形成された透明導電層と透明コート層とで構成された透明2層膜を備える透明導電性基材の製造方法において、溶媒中に平均粒子径5〜100nmのインジウム錫酸化物微粒子が分散された透明導電層形成用塗液をガラス基板上に塗布し、続けてシリカゾルを主成分とする透明コート層形成用塗布液を塗布した後、大気中、300〜700°Cの高温で焼成し、冷却した後、インジウム錫酸化物微粒子を含有する透明導電層と酸化珪素を主成分とする透明コート層とで構成された上記透明2層膜を還元性溶液に接触させて低抵抗化処理することを特徴とする透明導電性基材の製造方法。
IPC (9):
H01B 13/00 503
, B05D 3/02
, B05D 5/12
, B05D 7/00
, B05D 7/24 303
, B32B 7/02 104
, B32B 17/06
, B32B 31/22
, H01J 9/20
FI (9):
H01B 13/00 503 B
, B05D 3/02 Z
, B05D 5/12 B
, B05D 7/00 H
, B05D 7/24 303 B
, B32B 7/02 104
, B32B 17/06
, B32B 31/22
, H01J 9/20 A
F-Term (39):
4D075AE03
, 4D075BB28Z
, 4D075CA22
, 4D075CB06
, 4D075DB13
, 4D075DC21
, 4D075EB02
, 4D075EC02
, 4F100AA17B
, 4F100AA20C
, 4F100AA33B
, 4F100AG00A
, 4F100AK52
, 4F100AR00B
, 4F100AR00C
, 4F100BA03
, 4F100BA10A
, 4F100BA10C
, 4F100CA21B
, 4F100CC00B
, 4F100CC00C
, 4F100DE01B
, 4F100EG002
, 4F100EH462
, 4F100EJ143
, 4F100EJ482
, 4F100EJ502
, 4F100GB41
, 4F100JG01B
, 4F100JM01C
, 4F100JN01B
, 4F100JN01C
, 5C028AA01
, 5C028AA02
, 5C028AA04
, 5C028AA07
, 5G323BA02
, 5G323BB01
, 5G323BC02
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