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J-GLOBAL ID：200903059871858918

III-V族化合物半導体結晶の製造方法

Inventor： 川瀬 智博 ,  龍見 雅美
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997106115
Publication number (International publication number)：1998036197
Application date： Apr. 23, 1997
Publication date： Feb. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】 結晶成長の際に添加カーボン量の調整を容易に行なうことができ、かつ、不純物が除去された良好な電気特性を有するIII-V族化合物半導体結晶を、再現性よく製造することができる方法を提供する。【解決手段】 カーボンが添加されたIII-V族化合物半導体結晶の製造方法であって、るつぼ1内に、化合物原料2、固体カーボン13および酸化ホウ素4を充填するステップと、化合物原料2、固体カーボン13および酸化ホウ素4が充填されたるつぼ1を、ガス不透過性材料からなる気密性容器5内に密封するステップと、気密性容器5内に密封した状態で化合物原料2を加熱溶融するステップと、溶融した化合物原料2を固化させて、カーボンが添加された化合物半導体結晶を成長するステップとを備える。

Claim (excerpt)：

カーボンが添加されたIII-V族化合物半導体結晶の製造方法であって、るつぼまたはボート内に、化合物原料、固体カーボンおよび酸化ホウ素を充填するステップと、前記化合物原料、固体カーボンおよび酸化ホウ素が充填された前記るつぼまたはボートを、ガス不透過性材料からなる気密性容器内に密封するステップと、前記気密性容器内に密封した状態で、前記化合物原料を加熱溶融するステップと、前記溶融した化合物原料を固化させて、カーボンが添加された化合物半導体結晶を成長するステップとを備える、III-V族化合物半導体結晶の製造方法。

IPC (3)：

C30B 29/40 501 ,  C30B 11/00 ,  C30B 29/42

FI (3)：

C30B 29/40 501 C ,  C30B 11/00 Z ,  C30B 29/42