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J-GLOBAL ID：200903059878253795

荷電粒子照射装置

Inventor： 秋山 浩 ,  松田 浩二 ,  平本 和夫 ,  鈴木 啓之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997018186
Publication number (International publication number)：1998211292
Application date： Jan. 31, 1997
Publication date： Aug. 11, 1998
Summary：

【要約】【課題】コリメータでターゲット形状に切り取られた荷電粒子ビームの辺縁部において半影ぼけを小さく抑えて、精密なターゲット形状の荷電粒子ビームを照射できる荷電粒子照射装置を提供する。【解決手段】荷電粒子ビームを進行方向Sに垂直な方向Xに偏向する第一偏向磁石1,進行方向SおよびX方向に垂直な方向Yに偏向する第二偏向磁石,第一偏向磁石と第二偏向磁石の間に配置された散乱体3、および荷電粒子ビームをターゲットの形状に成形するコリメータ4を備える荷電粒子照射装置。

Claim (excerpt)：

荷電粒子ビームを走査する複数の偏向磁石、前記荷電粒子ビームを散乱する散乱体、および、散乱された荷電粒子ビームをターゲットの形状に形成するコリメータを備える荷電粒子照射装置において、前記散乱体は、前記ターゲットが配置される照射位置から各前記偏向磁石の偏向焦点までの平均距離の位置に設置されたことを特徴とする荷電粒子照射装置。