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J-GLOBAL ID：200903059905984624

化学気相成長方法、化学気相成長方法に用いる補助原料、及び化学気相成長方法によって作製された膜並びに素子

Inventor： 舟窪 浩 ,  村上 泰 ,  町田 英明
Applicant, Patent owner： 舟窪 浩 ,  村上 泰 ,  株式会社トリケミカル研究所
Agent (1)： 宇高 克己
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000265521
Publication number (International publication number)：2002069639
Application date： Sep. 01, 2000
Publication date： Mar. 08, 2002
Summary：

【要約】【課題】 金属のβ-ジケトネート錯体を用いてのCVDで膜を形成しようとした場合において、膜が綺麗に出来る成膜技術を提供することである。【解決手段】 化学気相成長方法であって、金属のβ-ジケトネート錯体とα,β-不飽和アルコールとを用いる。

Claim (excerpt)：

化学気相成長方法であって、金属のβ-ジケトネート錯体とα,β-不飽和アルコールとを用いることを特徴とする化学気相成長方法。

IPC (2)：

C23C 16/18 ,  H01L 21/316

FI (2)：

C23C 16/18 ,  H01L 21/316 X

F-Term (13)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA01 ,  4K030BA04 ,  4K030BA10 ,  4K030BA13 ,  4K030BA18 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030FA10 ,  5F058BC03 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-162825   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-068842   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 有機金属化学気相成長方法および有機金属化学気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-015668   Applicant：日本電気株式会社
• Biアルコキシドを使用して強誘電性皮膜を形成するための低温度CVD法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-586979   Applicant：インフィネオンテクノロジースアクチエンゲゼルシャフト, アドヴァンストテクノロジーマテリアルズインコーポレイテッド
• 化学的気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-361541   Applicant：日産自動車株式会社
• ルテニウム系薄膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-016114   Applicant：旭電化工業株式会社