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J-GLOBAL ID:200903059926650769
遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
小栗 昌平 (外7名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1999364904
Publication number (International publication number):2001183837
Application date: Dec. 22, 1999
Publication date: Jul. 06, 2001
Summary:
【要約】【課題】 ラインエッジラフネス、マイクログレインが改善され、更に製膜均一性が優れ、レジスト液中のパーティクルが少ない遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することを提供すること。【解決手段】 活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、ヒドロキシスチレンに相当する繰り返し単位を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増加する樹脂、並びにプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネートの群から選択される少なくとも一種の溶剤、プロピレングリコールモノメチルエーテル及びエトキシエチルプロピオネートの群から選択される少なくとも一種の溶剤を含有する遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
Claim (excerpt):
(イ)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(ロ)ヒドロキシスチレンに相当する繰り返し単位を含み、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増加する樹脂、並びに(ハ)(1)プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート及びプロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネートの群から選択される少なくとも一種の溶剤、(2)プロピレングリコールモノメチルエーテル及びエトキシエチルプロピオネートの群から選択される少なくとも一種の溶剤を含有することを特徴とする遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物。
IPC (3):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/027
FI (3):
G03F 7/039 601
, G03F 7/004 501
, H01L 21/30 502 R
F-Term (13):
2H025AA02
, 2H025AA03
, 2H025AA18
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AD03
, 2H025BE00
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB45
, 2H025CC03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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感放射線性樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-030912
Applicant:ジェイエスアール株式会社
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ディフェクト抑制ポジ型レジスト塗布液
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-074098
Applicant:東京応化工業株式会社
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ネガ型レジスト組成物およびレジストパターンの形成方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-106629
Applicant:富士通株式会社
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