Pat

J-GLOBAL ID：200903059940966590

光電変換装置

Inventor： 竹田 慎市 ,  海部 紀之 ,  小林 功 ,  水谷 英正
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994196647
Publication number (International publication number)：1996064856
Application date： Aug. 22, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】 注入阻止層を設けることなくSN比を高くし、低コストを図る。【構成】 第一の電極層2、第一導電型のキャリアおよび該第一導電型と異なる第二導電型のキャリアの通過を阻止する第一の絶縁層70、光電変換半導体層4、前記第一導電型のキャリアおよび前記第二導電型のキャリアの通過を阻止する第二の絶縁層71、および第二の電極層6を積層構成してなる。

Claim (excerpt)：

第一の電極層、第一導電型のキャリアおよび該第一導電型と異なる第二導電型のキャリアの通過を阻止する第一の絶縁層、光電変換半導体層、前記第一導電型のキャリアおよび前記第二導電型のキャリアの通過を阻止する第二の絶縁層、および第二の電極層を積層構成してなる光電変換装置。

IPC (3)：

H01L 31/10 ,  H01L 27/146 ,  H01L 27/15

FI (2)：

H01L 31/10 A ,  H01L 27/14 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭60-178458
  
• 特開昭63-233574
  
• 特開昭62-261931
  
• 特開平4-261070