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J-GLOBAL ID：200903059942317700

半導体レーザの製造方法

Inventor： 石橋 明彦 ,  木戸口 勲 ,  大仲 清司
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993207689
Publication number (International publication number)：1995066486
Application date： Aug. 23, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 信頼性に優れた高出力動作可能な半導体レーザ製造方法を提供することである。【構成】 活性層3およびクラッド層4を基板1の上に堆積した半導体レーザ用ウエハに水素原子が非透過の誘電体膜7を共振器長間隔毎に堆積する工程と、水素原子を含む雰囲気で前記ウエハを熱処理する工程とを含み、活性層共振器端面近傍のみにおいてクラッド層中のドーパントの拡散で自然超格子の無秩序化を行ってバンドギャップを増大させている。

Claim (excerpt)：

活性層およびクラッド層を基板の上に堆積した半導体レーザ用ウエハに水素原子が非透過の誘電体膜を共振器長間隔毎に堆積する工程と、水素原子を含む雰囲気で前記ウエハを熱処理する工程とを含む半導体レーザの製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 歪超格子の混晶化法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-251660   Applicant：日本電信電話株式会社
• 特開平4-033380