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J-GLOBAL ID：200903059970555226
半導体素子のバンプ形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
清水 守 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991092470
Publication number (International publication number)：1993144818
Application date： Apr. 24, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体素子のバンプ形成方法にあたり、マスクを用いることにより、簡単な工程でもって優れた半導体素子のバンプ形成を行う。【構成】 半導体素子のバンプ形成方法において、回路基板11に回路基板電極12を形成し、その上にマスク治具13をセットし、該マスク治具13を用いて真空蒸着、CVD、スパッタリング、MBE等で成膜し、回路基板電極12上に堆積させることによりバンプ14を形成する。
Claim (excerpt)：
(a)回路基板に基板電極を形成する工程と、(b)その上にマスク治具をセットする工程と、(c)該マスク治具を用いて堆積により前記基板電極上にバンプを形成する工程とを施すことを特徴とする半導体素子のバンプ形成方法。
Patent cited by the Patent：
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