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J-GLOBAL ID：200903059997179633
半導体製造装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994232417
Publication number (International publication number)：1996078344
Application date： Sep. 01, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】半導体製造装置に於いて、反応炉内へのウェーハの装入、取出しを高速で行える様にする。【構成】反応炉1の炉口部外方に加温器12により所要温度に加温されたウェーハ搬送空間11を形成した半導体製造装置に係り、ウェーハ2が反応炉内に装入される搬送途中でウェーハがウェーハ搬送空間を通過し、通過する過程で加温器により所要温度迄加温され、又ウェーハが反応炉から引出される場合には加温器により急冷が抑止される。而して、装入時、取出し時のウェーハの受ける熱衝撃が緩和され、ウェーハ装入、取出しの高速化が図れ、歩留まりが向上すると共にスループットの向上が図れる。
Claim (excerpt)：
反応炉の炉口部外方に加温器により所要温度に加温されたウェーハ搬送空間を形成したことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2)：
H01L 21/205
, H01L 21/22 511
