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J-GLOBAL ID：200903060013017660

平坦なCVDダイヤモンド薄膜の製造法

Inventor： フリーデル・シーグフリード・クネメヤー ,  ディビッド・アール・スラッツ
Applicant, Patent owner： ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ
Agent (1)： 生沼 徳二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992330830
Publication number (International publication number)：1993306195
Application date： Dec. 11, 1992
Publication date： Nov. 19, 1993
Summary：

【要約】【目的】 化学蒸着法によるダイヤモンド薄膜の製造において、ダイヤモンド被膜を該被膜が蒸着した基材から取り外すときに生ずる処の、被膜内部の引張り応力解放に起因する薄膜の反り(bowing)乃至亀裂(cracking)の発生を回避し、以て、平坦なダイヤモンド薄膜を提供する。【構成】 ダイヤモンド被膜を析出する基材の成膜面を、基材から取り外して得られるダイヤモンド薄膜中に予見される内部引張り応力を補償する様な曲率半径を有する凸形状とする。基材から取り外された薄膜は、基材の湾曲と反対方向に反ってその内部引張り応力を解放し、実質的に平坦なものとなる。上記曲率半径は、1インチあたり50〜250 μmの範囲であり、基材としてはモリブデン等が適当であり、且つ、薄膜の厚さは1乃至2,000ミクロンである。

Claim (excerpt)：

当該基材の凸状の成膜面上へのダイヤモンド被膜の成長を促進する圧力、温度及び気体濃度の下で、加熱された基材を、水素及び炭化水素の励起気体状混合物に接触させる段階と、上記凸状の成膜面の曲率半径は、形成されるダイヤモンド被膜中の引張り応力に相応しており、上記基材の上記凸状の成膜面から上記ダイヤモンド被膜を分離し、平坦なダイヤモンド薄膜を提供する段階とから成る、平坦なダイヤモンド薄膜製造法。

IPC (6)：

C30B 29/04 ,  B01J 19/00 ,  C23C 16/26 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/18 ,  H01L 21/205