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J-GLOBAL ID：200903060013301431
気相成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
杉村 暁秀 (外5名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992000318
Publication number (International publication number)：1993182918
Application date： Jan. 06, 1992
Publication date： Jul. 23, 1993
Summary：
【要約】【構成】 有機シランを主原料として、CVD法により被処理物表面に被膜を形成させる気相成長方法において、酸化剤として過酸化水素を含有する雰囲気中で行う。【効果】 400 °C以下の低温、特に300 °CでもLSIの配線間の層間絶縁材料に利用可能な膜が容易に形成できるようになった。
Claim (excerpt)：
有機シランを主原料として、CVD法により被処理物表面に被膜を形成させる気相成長方法において、酸化剤として過酸化水素を含有する雰囲気中で行うことを特徴とする気相成長方法。
IPC (2)：
H01L 21/205
, H01L 21/3205
