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J-GLOBAL ID：200903060037665485

半導体熱処理用ダミーウエハ及びその再生方法

Inventor： 黒川 昌彦
Applicant, Patent owner： 東芝セラミックス株式会社
Agent (1)： 木下 茂 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996314312
Publication number (International publication number)：1998144580
Application date： Nov. 11, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【課題】 半導体熱処理炉内の金属汚染物質を十分に捕捉することのできる半導体熱処理用ダミーウエハ、及び金属汚染されたダミーウエハをエッチング処理することにより、ダミーウエハを再生させる半導体熱処理用ダミーウエハの再生方法を提供する。【解決手段】 本発明にかかるダミーウエハ1は、シリコン基体2と、前記シリコン基体2の表面に形成された酸化膜3と、前記酸化膜3の表面に形成されたポリシリコン膜4とから構成されている。そして、ダミーウエハ1のポリシリコン膜4をアルカリエッチング処理により除去し、その後酸エッチング処理により酸化膜3を除去してシリコン基体2とし、前記シリコン基体2の表面に酸化膜3を形成すると共に前記酸化膜の表面にポリシリコン膜4を再形成する。

Claim (excerpt)：

半導体熱処理炉に配設されるウエハボ-トに載置される半導体熱処理用ダミーウエハにおいて、シリコン基体と、前記シリコン基体の表面に形成された酸化膜と、前記酸化膜の表面に形成されたポリシリコン膜とを備えることを特徴とする半導体熱処理用ダミーウエハ。