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J-GLOBAL ID：200903060037732212

薄膜トランジスタを有する電子装置

Inventor：
ヤング ニゲル ディー

About ヤング ニゲル ディー

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エイレス ジョン アール エー

About エイレス ジョン アール エー

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エドワーズ マルチン ジェイ

About エドワーズ マルチン ジェイ


Applicant, Patent owner：
コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ

About コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ


Agent (1)： 津軽 進
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999549076
Publication number (International publication number)：2002500829
Application date： Feb. 15, 1999
Publication date： Jan. 08, 2002
Summary：
【要約】AMLCDのような大面積電子装置が、マトリクスにおけるスイッチングTFT(TP)と周辺駆動回路における回路TFT(TS)とを有している。両TFT(TP,TS)は電界解放領域(130)を有し、該領域は、ドレイン領域(113)よりも低いドーピング濃度(N-)を有すると共に、チャンネル領域(111)とドレイン領域(113)との間に存在する。この電界解放領域(130)は、その長さの少なくとも殆どにわたり、回路TFT(TS)におけるゲート(121)と重なり合って、該電界解放領域(130)における直列抵抗をゲート(121)との導電率変調により低減する。しかしながら、スイッチングTFT(TP)におけるドレイン領域(113)は、電界解放領域(130)の長さの少なくとも殆どにより、ゲート(121)との重なりからオフセットされている。この電界解放オフセットは、スイッチングTFT(TP)が回路TFT(TS)よりも少ない漏れ電流しか有さないことを可能にする。
Claim (excerpt)：
基板上に、薄膜スイッチングトランジスタのスイッチングマトリクスと、該 マトリクスの前記スイッチングトランジスタに結合された薄膜回路トランジス タを有する周辺駆動回路とを有する電子装置において、前記薄膜スイッチング トランジスタ及び回路トランジスタの両方が結晶質半導体膜に隣接して該半導 体膜における或る導電型のソース及びドレイン領域の間の該或る導電型の導電 チャンネルを制御するための絶縁ゲートを有し、前記ドレイン領域よりも低い 前記或る導電型のドーピング濃度を有する電界解放領域が前記導電チャンネル と前記ドレイン領域との間に存在し、前記回路トランジスタの少なくとも幾つ かにおいては前記電界解放領域の少なくとも殆どが前記ゲートと重なり合って 、該電界解放領域における直列抵抗を前記ゲートとの導電率変調により減少さ せ、前記マトリクスの前記スイッチングトランジスタにおける前記ドレイン領 域は前記電界解放領域の少なくとも殆どにより前記ゲートとの重なりからオフ セットされて、前記スイッチングトランジスタがゲートの重なりを有する前記 回路トランジスタよりも少ない漏れ電流を有するようにしたことを特徴とする 電子装置。
IPC (2)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (2)：
H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 612 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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