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J-GLOBAL ID：200903060038177760
半導体装置の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994214997
Publication number (International publication number)：1996078408
Application date： Sep. 08, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：
【要約】【目的】 誘電率が低く、堆積速度の速い安定な層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 電子サイクロトロン共鳴を用いたプラズマ化学気相成長法によりシリコン酸化膜を堆積する半導体装置の製造方法において、シリコン酸化膜を成膜する際に、弗素を含むガス及び窒素を含むガスを含む原料ガスを用いることにより、弗素と窒素を含有したシリコン酸化膜を成膜する
Claim (excerpt)：
電子サイクロトロン共鳴を用いたプラズマ化学気相成長法によりシリコン酸化膜を堆積する半導体装置の製造方法において、前記シリコン酸化膜を成膜する際に、弗素を含むガス及び窒素を含むガスを含む原料ガスを用いることにより、弗素と窒素を含有したシリコン酸化膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3)：
H01L 21/316
, H01L 21/205
, H01L 21/768
