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J-GLOBAL ID：200903060043397549

インダクタ素子及びその製造方法

Inventor： 森 光廣 ,  清水 敏彦 ,  長谷 英一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995023717
Publication number (International publication number)：1996222695
Application date： Feb. 13, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】モノリシックマイクロ波IC用の小型かつ低損失なインダクタ素子を提供する。【構成】比誘電率の高い半絶縁性半導体基板10に入り込む電気力線を低減するために、溝102を掘り、寄生容量である第二の配線金属層13の線間容量C1を大幅に低減する。【効果】広い帯域に渡ってインダクタンスが一定で、低損失のインダクタ素子を作製できる。また、モノリシックマイクロ波ICの高利得化,低消費電力化,広域化ができる。

Claim (excerpt)：

基板上に形成されたインダクタ素子において、前記インダクタ素子を構成する配線層間の間隙に位置する前記基板を、その一部分の深さまで除去したことを特徴とするインダクタ素子。

IPC (4)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 17/00 ,  H01F 41/04

FI (3)：

H01L 27/04 L ,  H01F 17/00 B ,  H01F 41/04 C