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J-GLOBAL ID：200903060045235880

窒化物半導体素子

Inventor： 妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996315816
Publication number (International publication number)：1998163530
Application date： Nov. 27, 1996
Publication date： Jun. 19, 1998
Summary：

【要約】【目的】 基板側より接触抵抗の低い電極を取り出すことができて、さらに放熱性に優れた窒化物半導体素子を実現する。【構成】 第1の主面と第2の主面とを有する基板の第1の主面側にn型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層とが積層され、第1の主面側にあるそれらの窒化物半導体層に、それぞれオーミック接触用のn電極と、p電極とが設けられており、さらに、基板の第2の主面側には、前記n、pいずれか一方の電極と電気的に接続された第1の電極が、基板の側面と連続して形成されて、その第1の電極が基板の第1の主面側の表面に形成された絶縁膜によって、もう一方の電極と絶縁されている。

Claim (excerpt)：

第1の主面と第2の主面とを有する基板の第1の主面側にn型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層とが積層され、第1の主面側にあるそれらの窒化物半導体層に、それぞれオーミック接触用のn電極と、p電極とが設けられており、さらに、基板の第2の主面側には、前記n、pいずれか一方の電極と電気的に接続された第1の電極が、基板の側面と連続して形成されて、その第1の電極が基板の第1の主面側の表面に形成された絶縁膜によって、もう一方の電極と絶縁されていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (3)：

H01L 33/00 ,  H01L 31/10 ,  H01S 3/18

FI (4)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 ,  H01L 31/10 H