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J-GLOBAL ID：200903060046527303

窒化物薄膜単結晶及びその製造方法

Inventor： 今井 貴浩 ,  内海 慶春 ,  藤森 直治
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 川瀬 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995137228
Publication number (International publication number)：1996310900
Application date： May. 10, 1995
Publication date： Nov. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 表面が平滑で、結晶性に優れたAlN、InN、GaN等の窒化物半導体単結晶を製造すること。【構成】 基板の上に、ホウ素を含む窒化物中間層を形成する。この上に目的の窒化物薄膜表面層を形成する。中間層の効果によって、上層の窒化物は単結晶となる。さらに表面は極めて平滑になる。この窒化物薄膜は平滑な単結晶であるから、発光素子、表面弾性波素子、耐熱高周波素子等の材料として好適である。

Claim (excerpt)：

単結晶基板と、単結晶基板上に形成された0.2原子%以上のホウ素を含有した窒化物中間層と、ホウ素含有窒化物中間層の上に形成された上層の窒化物単結晶層とよりなることを特徴とする窒化物薄膜単結晶。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C01G 15/00 ,  H01L 33/00 ,  H03H 9/25

FI (6)：

C30B 29/38 C ,  C30B 29/38 D ,  C30B 29/38 Z ,  C01G 15/00 B ,  H01L 33/00 C ,  H03H 9/25 C