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J-GLOBAL ID：200903060046641432
プラズマドライエッチングの終点検知方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992128398
Publication number (International publication number)：1994069165
Application date： May. 21, 1992
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：
【要約】【目的】半導体ウェハー上の積層メタル配線膜のガスプラズマドライエッチングにおいて、終点判定が安定して行なうための発光スペク曲線を得ることを目的とする。【構成】ガスプラズマからの発光スペクトルをフォトマルチプライアの検知波長範囲300nm〜650nmのフォトマルチプライアが持つ波長帯域で全て受光することにより得られる発光スペクトル強度曲線を用い、安定した終点検知を行う。
Claim (excerpt)：
Ti膜とAl-Si-Cu合金膜とTiN膜とTi膜とによる多層メタル配線層のプラズマドライエッチングの終点検知方法に関し、ガスプラズマ中からの発光スペクトルを波長範囲300〜650nmのフォトマルチプライアがもつ波長帯域で全て受光することにより得られる発光スペクトル強度曲線を用いたことを特徴とするプラズマドライエッチングの終点検知方法。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
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