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J-GLOBAL ID:200903060048788368

エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 山下 昭彦 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002131796
Publication number (International publication number):2003332080
Application date: May. 07, 2002
Publication date: Nov. 21, 2003
Summary:
【要約】【課題】 本発明は、撥液性処理による各々の層との境界における隙間や、膜厚ムラを要因とする不具合を防止するEL素子を提供することを主目的とするものである。【解決手段】 上記目的を達成するために、本発明は、少なくとも第1電極層を有する基板と、前記第1電極層のエッジ部を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層の上面に設けられた撥液性部と、前記第1電極層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第2電極層とを有することを特徴とするEL素子を提供する。
Claim (excerpt):
少なくとも第1電極層を有する基板と、前記第1電極層のエッジ部を覆うように形成された絶縁層と、前記絶縁層の上面に設けられた撥液性部と、前記第1電極層上にパターン状に形成された発光層と、前記発光層上に形成された第2電極層とを有することを特徴とするエレクトロルミネッセント素子。
IPC (4):
H05B 33/22 ,  B01J 35/02 ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14
FI (4):
H05B 33/22 Z ,  B01J 35/02 J ,  H05B 33/10 ,  H05B 33/14 A
F-Term (16):
3K007AB11 ,  3K007AB18 ,  3K007DB03 ,  3K007EA00 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069BA04B ,  4G069BA22B ,  4G069BA48A ,  4G069CD10 ,  4G069EA08 ,  4G069EC22Y ,  4G069ED02 ,  4G069FB23
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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