半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002012730
Publication number (International publication number)：2003218350
Application date： Jan. 22, 2002
Publication date： Jul. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】高エネルギー線被爆によるソフトエラーに対する耐性を強化させ、且つ、微細MOSトランジスタの高性能化を実現する。【解決手段】高濃度で深いソース又はドレイン拡散層領域を形成する時、ソース・ドレイン拡散層と反対の導電型を有する半導体基板との間に該半導体基板の不純物濃度より高い濃度の中間領域を形成する。該中間領域をソース又はドレイン形成用拡散窓と共有して行うことにより、廉価で且つ均一濃度・均一幅の中間層を実現できる。

Claim (excerpt)：

所定の主表面を有する第1導電型不純物を含む半導体基板に、深い接合と浅い接合よりなる第2導電型不純物を有する高濃度不純物領域が構成されてpn接合を形成する絶縁ゲート型電界効果トランジスタにおいて、前記第1導電型不純物領域と前記第2導電型不純物領域の間に、前記第1導電型不純物領域の不純物濃度より高い不純物濃度の第1導電型不純物の中間領域が形成され、且つ、前記浅い接合の第2導電型不純物を有する高濃度不純物領域が前記中間領域の少なくとも一部より前記半導体基板の第1導電型不純物領域に突出していることを特徴とする半導体装置。

IPC (10)：

H01L 29/78 , H01L 29/78 652 , H01L 29/78 655 , H01L 21/336 , H01L 21/8238 , H01L 21/8242 , H01L 21/8244 , H01L 27/092 , H01L 27/108 , H01L 27/11

FI (9)：

H01L 29/78 652 D , H01L 29/78 655 A , H01L 29/78 301 X , H01L 29/78 301 L , H01L 27/10 621 B , H01L 27/10 671 Z , H01L 27/10 691 , H01L 27/08 321 E , H01L 27/10 381

F-Term (65)：

5F048AA06 , 5F048AC03 , 5F048BA01 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BC05 , 5F048BC06 , 5F048BF06 , 5F048BG14 , 5F048DA25 , 5F083AD01 , 5F083AD28 , 5F083AD48 , 5F083AD49 , 5F083AD56 , 5F083GA18 , 5F083JA06 , 5F083JA19 , 5F083JA32 , 5F083NA01 , 5F140AA01 , 5F140AA05 , 5F140AA09 , 5F140AA10 , 5F140AA13 , 5F140AA18 , 5F140AB03 , 5F140AB09 , 5F140AC32 , 5F140BA01 , 5F140BA20 , 5F140BC06 , 5F140BC17 , 5F140BD01 , 5F140BD10 , 5F140BE07 , 5F140BE08 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG31 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BH34 , 5F140BH36 , 5F140BH39 , 5F140BH50 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BJ13 , 5F140BJ17 , 5F140BJ20 , 5F140BK02 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140BK22 , 5F140BK29 , 5F140BK34 , 5F140BK39 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CE07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平4-274329
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-178950 Applicant：株式会社リコー
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-012405 Applicant：松下電器産業株式会社

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