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J-GLOBAL ID：200903060052996820

薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法及び薄膜光電変換モジュールの製造方法

Inventor： 林 克彦
Applicant, Patent owner： 鐘淵化学工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999336094
Publication number (International publication number)：2001156306
Application date： Nov. 26, 1999
Publication date： Jun. 08, 2001
Summary：

【要約】【課題】モジュール出力が十分に向上された薄膜光電変換モジュールを製造することを可能とする薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法及び薄膜光電変換モジュールの製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法は、基板2上に第1の電極層3、薄膜光電変換ユニット4、及び第2の電極層5を順次積層した構造をそれぞれ有する複数の薄膜光電変換セル10を相互に直列接続してなる直列アレイを具備する薄膜光電変換モジュール1の欠陥修復方法であって、前記直列アレイを短絡させた状態で前記複数の薄膜光電変換セル10の1つに対して選択的に逆バイアス電圧が印加されるように前記直列アレイに光を照射することにより前記複数の薄膜光電変換セル10の1つに形成された短絡部9を絶縁する工程を含むことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

基板上に第1の電極層、薄膜光電変換ユニット、及び第2の電極層を順次積層した構造をそれぞれ有する複数の薄膜光電変換セルを相互に直列接続してなる直列アレイを具備する薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法であって、前記直列アレイを短絡させた状態で前記複数の薄膜光電変換セルの1つに対して選択的に逆バイアス電圧が印加されるように前記直列アレイに光を照射することにより前記複数の薄膜光電変換セルの1つに形成された短絡部を絶縁する工程を含むことを特徴とする薄膜光電変換モジュールの欠陥修復方法。

F-Term (5)：

5F051BA11 ,  5F051EA01 ,  5F051EA02 ,  5F051EA20 ,  5F051KA10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 光起電力素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-343700   Applicant：キヤノン株式会社