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J-GLOBAL ID：200903060053694380

SOI基板の作製方法およびSOI基板

Inventor： 阿賀 浩司 ,  三谷 清 ,  小林 徳弘 ,  片山 正健
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 好宮 幹夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996257758
Publication number (International publication number)：1998084101
Application date： Sep. 06, 1996
Publication date： Mar. 31, 1998
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 SOI層中のCOP密度の低いSOI基板、特にはSOI層の厚さが1ミクロン以下の薄膜SOI基板の作製方法を提供する。【解決手段】 少なくとも第1のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成し、第2のシリコン単結晶基板と該酸化膜を介して密着させ、これに熱処理を加えて強固に結合させた後、第1のシリコン単結晶基板を薄膜化するSOI基板の作製方法において、第1のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成する前に、1100°Cを越える温度の高温熱処理を行うか、前記第1のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成する酸化温度は、1100°Cを越える温度とし、酸化膜厚を700nm以上とするか、前記第1のシリコン単結晶基板の表面に形成する酸化膜の膜厚を200nm以下とすることを特徴とするSOI基板の作製方法。

Claim (excerpt)：

少なくとも第1のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成し、第2のシリコン単結晶基板と該酸化膜を介して密着させ、これに熱処理を加えて強固に結合させた後、第1のシリコン単結晶基板を薄膜化するSOI基板の作製方法において、第1のシリコン単結晶基板の表面に酸化膜を形成する前に、該基板に1100°Cを越える温度の高温熱処理を行うことを特徴とするSOI基板の作製方法。

IPC (4)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324

FI (4)：

H01L 27/12 B ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/324 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 貼合せ半導体ウェハとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-250154   Applicant：コマツ電子金属株式会社
• 貼り合わせSOI基板の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-051818   Applicant：コマツ電子金属株式会社, エヌ・ティ・ティ・エレクトロニクステクノロジー株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 「多層集積技術動向に関する調査研究報告書III」, 199408, pp.II-28-II-37