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J-GLOBAL ID：200903060055518805

IrMn系合金成膜用ターゲット、その製造方法およびそれを用いた反強磁性膜

Inventor： 松本 俊一郎 ,  村田 英夫 ,  萩原 英俊
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998051669
Publication number (International publication number)：1999246967
Application date： Mar. 04, 1998
Publication date： Sep. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】 スパッタ時の放電安定性に優れ、かつスパッタ時に発生する熱応力によってもターゲット割れが発生せず、スパッタ成膜した反強磁性膜の交換結合磁界も大きなIrMn系合金成膜用ターゲットを提供する。【解決手段】 IrMn系反強磁性合金ターゲットの組織中にIr相を分散して存在させ、かつターゲット中の酸素量を3000ppm以下に制御する。製造方法としては、Ir粉末、Mn粉末、Mn-X合金粉末あるいはX粉末(XはFe,Ni,Cu,Ta,Hf,Pd,Ti,Nb,Cr,W,Zr,Mo等の少なくとも1種)を所望量配合し、混合粉末の液相発現温度より低い温度で、加圧焼結を行う。

Claim (excerpt)：

組織中にIrが存在し、このIrはIrMn合金を介して分散されていることを特徴とするIrMn系合金成膜用ターゲット。

IPC (7)：

C23C 14/34 ,  C22C 1/04 ,  C22C 5/04 ,  C22C 22/00 ,  H01F 41/18 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12

FI (7)：

C23C 14/34 A ,  C22C 1/04 ,  C22C 5/04 ,  C22C 22/00 ,  H01F 41/18 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/12