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J-GLOBAL ID：200903060062016734

粉末原料の製造方法およびターゲット材の製造方法

Inventor： 韓 剛 ,  上野 友典 ,  村田 英夫
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000162795
Publication number (International publication number)：2001342506
Application date： May. 31, 2000
Publication date： Dec. 14, 2001
Summary：

【要約】【課題】 ターゲットの使用と再生、すなわちリサイクルのための加工に導入した不純物を再度取り除くこと、あるいは再生加工中に不純物を導入しないことである。【解決手段】 スパッタリングを行った後の高純度廃却ターゲットを出発原料とし、高純度かつ組織微細均一の粉末原料を作製し、それを用いてターゲットを安価に製造することも可能な粉末原料の製造方法および、これを用いたターゲット材の製造方法を提供する。

Claim (excerpt)：

金属ブロックを粉砕し、得られた粉末を熱プラズマ中に通し、球状化及び高純度化して粉末原料とすることを特徴とする粉末原料の製造方法。

IPC (4)：

B22F 9/04 ,  B22F 1/00 ,  B22F 9/14 ,  C23C 14/34

FI (4)：

B22F 9/04 A ,  B22F 1/00 R ,  B22F 9/14 Z ,  C23C 14/34 A

F-Term (23)：

4K017AA04 ,  4K017BA02 ,  4K017BA04 ,  4K017BA07 ,  4K017CA01 ,  4K017DA09 ,  4K017EA03 ,  4K017EF02 ,  4K017EG04 ,  4K018AA02 ,  4K018AA19 ,  4K018AA21 ,  4K018AA40 ,  4K018BA01 ,  4K018BA03 ,  4K018BA09 ,  4K018BB03 ,  4K018BC06 ,  4K018EA13 ,  4K018KA29 ,  4K029DC03 ,  4K029DC04 ,  4K029DC09

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭63-045309
  
• 希土類を含有する再生ターゲット材とその再生方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-360567   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 電子ビーム励起プラズマ発生装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-091850   Applicant：理化学研究所, 川崎重工業株式会社
• 焼却灰処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-042925   Applicant：株式会社東芝
• 膜形成方法および膜形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-268696   Applicant：松下電器産業株式会社
• 高純度金属の精製方法およびその精製装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-227095   Applicant：一色実, 三村耕司, 株式会社立花理工
• シリコンの精製方法および精製装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2000-525344   Applicant：サントルナスィオナルデラルシェルシェスィアンティフィーク