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J-GLOBAL ID：200903060062368584

膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

Inventor：
西川 通則

About 西川 通則

, 
山田 欣司

About 山田 欣司


Applicant, Patent owner：
ジェイエスアール株式会社

About ジェイエスアール株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000157639
Publication number (International publication number)：2001335744
Application date： May. 29, 2000
Publication date： Dec. 04, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、PCT後の比誘電率特性、クラック耐性、後の基板との密着性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)それぞれ下記式(1)、(2)、(3)の群から選ばれた少なくとも1種の化合物をアルカリ触媒の存在下で加水分解縮合して得られる縮合物、(B)Ti、Zr、Al、Ta、B、P化合物の群から選ばれた一種の化合物ならびに(C)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。RaSi(OR1)4-a・・・・・(1)Si(OR2)4・・・・・(2)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c・・・・・(3)(式中RはH原子、F原子又は一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7はO、フェニレン基又は-(CH2)n-、aは1〜2、b、cは0〜2、dは0または1、nは1〜6の整数を示す。)
Claim (excerpt)：
(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)(A-2)下記一般式(2)で表される化合物、およびSi(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。)(A-3)下記一般式(3)で表される化合物 R3b(R4O)3-bSi-(R7)d -Si(OR5)3-cR6c ・・・(3)〔式中、R3〜R6は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7は酸素原子、フェニレン基または-(CH2 )n-で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕の群から選ばれた少なくとも1種の化合物をアルカリ触媒の存在下に、加水分解・縮合し、得られる加水分解縮合物と(B)チタン化合物、ジルコニウム化合物、アルミニウム化合物、タンタル化合物、ボロン化合物、リン化合物の群から選ばれる少なくとも1種の化合物ならびに(C)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。
IPC (11)：
C09D183/00 ,  C08G 77/04 ,  C08K 3/32 ,  C08K 3/38 ,  C08K 5/057 ,  C08K 5/06 ,  C08L 83/04 ,  C09D183/14 ,  C09D185/00 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/316
FI (11)：
C09D183/00 ,  C08G 77/04 ,  C08K 3/32 ,  C08K 3/38 ,  C08K 5/057 ,  C08K 5/06 ,  C08L 83/04 ,  C09D183/14 ,  C09D185/00 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/316 G
F-Term (92)：
4J002CP031 ,  4J002CP051 ,  4J002CP081 ,  4J002CP091 ,  4J002CP141 ,  4J002DH026 ,  4J002DH046 ,  4J002DK006 ,  4J002EC037 ,  4J002EC047 ,  4J002EC076 ,  4J002EE037 ,  4J002EE047 ,  4J002EH007 ,  4J002EH037 ,  4J002EH147 ,  4J002EH157 ,  4J002EP017 ,  4J002ET007 ,  4J002EU027 ,  4J002EU077 ,  4J002EU237 ,  4J002EV207 ,  4J002GH01 ,  4J002GH02 ,  4J035AA01 ,  4J035AA02 ,  4J035AA03 ,  4J035BA01 ,  4J035BA02 ,  4J035BA03 ,  4J035BA04 ,  4J035BA05 ,  4J035BA06 ,  4J035BA11 ,  4J035BA12 ,  4J035BA13 ,  4J035BA14 ,  4J035BA15 ,  4J035BA16 ,  4J035CA061 ,  4J035CA112 ,  4J035CA142 ,  4J035CA152 ,  4J035CA192 ,  4J035EB03 ,  4J035LB01 ,  4J035LB02 ,  4J038DL021 ,  4J038DL041 ,  4J038DL071 ,  4J038DL161 ,  4J038GA07 ,  4J038GA09 ,  4J038HA416 ,  4J038HA476 ,  4J038JA09 ,  4J038JA20 ,  4J038JA26 ,  4J038JA33 ,  4J038JA56 ,  4J038JA57 ,  4J038JB13 ,  4J038JB27 ,  4J038JB30 ,  4J038JB39 ,  4J038JC38 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038KA09 ,  4J038LA03 ,  4J038MA07 ,  4J038MA10 ,  4J038NA11 ,  4J038NA12 ,  4J038NA21 ,  4J038NA26 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09 ,  5F058AA04 ,  5F058AA08 ,  5F058AC03 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH02 ,  5F058BA07 ,  5F058BA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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