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J-GLOBAL ID：200903060068601272

配線形成方法および半導体装置の製造方法

Inventor： 大鹿 克志
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996049672
Publication number (International publication number)：1997246375
Application date： Mar. 07, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 配線用溝とスルーホールを1回のエッチングで形成するとともに、1回の金属堆積と化学的機械研磨で配線とスルーホール部を形成して工程を短縮し、コストの低減を図る。【解決手段】 Fラジカルでドライエッチング可能な絶縁膜(SiN、SiO2)6,9間に、一部が開口して開口部10を有するFラジカルでドライエッチング不可能なストッパ絶縁膜(AlN、Al2 O3 )7を配置した後、Fラジカルでドライエッチング加工する際に、上層の絶縁膜9をエッチングしてストッパ絶縁膜7に至る配線用溝11と、上層の絶縁膜から開口部を通って下層の絶縁膜を貫通するスルーホール13を同時に形成し、その後、CuをCVD法などにより埋込むとともに化学的機械研磨によって上層から研磨して、配線用溝11内およびスルーホール13内にのみ金属を残すことで、上層配線12とスルーホール部14を同時に形成する。

Claim (excerpt)：

第1のエッチング種によってエッチングされる絶縁膜の中層に、一部に開口部を有しかつ前記第1のエッチング種によってエッチング不可能な材質からなるストッパ絶縁膜を配置した後、第1のエッチング種で前記絶縁膜を表面からエッチングして前記ストッパ絶縁膜の表面が底となる配線用溝と、前記配線用溝に連なり前記ストッパ絶縁膜の開口部よりも下の絶縁膜部分を貫通するスルーホールを同時に形成し、その後、前記配線用溝およびスルーホールを埋め込むように前記絶縁膜上に金属膜を堆積させ、ついで前記金属膜を化学的機械研磨によって研磨して、前記配線用溝内およびスルーホール内にのみ金属を残すことによって配線およびスルーホール部を同時に形成することを特徴とする配線形成方法。

IPC (2)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/3065

FI (2)：

H01L 21/90 A ,  H01L 21/302 L